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參數資料
型號: BC856BLT1
廠商: 樂山無線電股份有限公司
英文描述: General Purpose Transistors(PNP Silicon)
中文描述: 通用晶體管(民進黨硅)
文件頁數: 1/6頁
文件大小: 186K
代理商: BC856BLT1
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相關PDF資料
PDF描述
BC856BWT1 General Purpose Transistors(PNP Silicon)
BC869-10 Automotive Fuse; Current Rating:25A; Voltage Rating:32V; Fuse Type:Fast Acting; Body Material:Plastic; Fuse Terminals:Blade; Length:15.41mm; Series:297; Voltage Rating:32V; Fuse Size/Group:15.41 x 10.92 x 3.81mm RoHS Compliant: Yes
BC86916 Automotive Fuse; Current Rating:30A; Voltage Rating:32V; Fuse Type:Fast Acting; Body Material:Plastic; Fuse Terminals:Blade; Length:15.41mm; Series:297; Voltage Rating:32V; Fuse Size/Group:15.41 x 10.92 x 3.81mm RoHS Compliant: Yes
BC86925 Automotive Fuse; Current Rating:7.5A; Voltage Rating:32V; Fuse Type:Fast Acting; Body Material:Plastic; Fuse Terminals:Blade; Length:15.41mm; Series:297; Voltage Rating:32V; Fuse Size/Group:15.41 x 10.92 x 3.81mm RoHS Compliant: Yes
BC875 NPN Darlington transistors
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參數描述
BC856BLT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 80V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC856BLT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
BC856BLT3 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 80V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC856BLT3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 80V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC856BM3T5G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 65V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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