- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄369428 > BC856CLT1 PNP Silicon General Purpose Transistors PDF資料下載
參數資料
| 型號： | BC856CLT1 |
| 英文描述： | PNP Silicon General Purpose Transistors |
| 中文描述： | 進步黨硅通用晶體管 |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 186K |
| 代理商： | BC856CLT1 |
Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC856ETC | |
| BC857BL | TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
| BC857B-MR | TRANSISTOR BC857B MINIREEL 500PCS |
| BC857BR | TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236 |
| BC857CL | TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BC856CMTF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 PNP GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC856CTA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC856CTC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC856C-TP | 制造商:MCC 制造商全稱:Micro Commercial Components 功能描述:PNP Small Signal Transistor310mW |
| BC856CW RF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。