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參數資料
型號: BC856T
廠商: NXP Semiconductors N.V.
英文描述: PNP general purpose transistors
中文描述: PNP通用型晶體管
文件頁數: 1/8頁
文件大?。?/td> 46K
代理商: BC856T
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 1997 Jul 07
1999 Apr 26
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BC856T; BC857T
PNP general purpose transistors
M3D173
相關PDF資料
PDF描述
BC858AF PNP general purpose transistors
BC858BF PNP general purpose transistors
BC858CF PNP general purpose transistors
BC857CF High Speed CMOS Logic Dual 4-Stage Binary Counter 14-SOIC -55 to 125
BC856AF High Speed CMOS Logic 4-Bit Binary Full Adder with Fast Carry 16-PDIP -55 to 125
相關代理商/技術參數
參數描述
BC856-T 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 0.1A 65V LN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC856T T/R 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
BC856T,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC856U 制造商:KODENSHI 制造商全稱:KODENSHI KOREA CORP. 功能描述:General purpose application
BC856UE6327 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
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