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參數資料
| 型號： | BC856UF |
| 廠商： | AUK Corp |
| 英文描述： | PNP Silicon Transistor (General purpose application Switching application) |
| 中文描述： | 進步黨硅晶體管（通用應用交換應用） |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 92K |
| 代理商： | BC856UF |
KST-3038-001
1
BC856UF
PNP Silicon Transistor
Descriptions
General purpose application
Switching application
Features
High voltage : V
CEO
= -55V
Complementary pair with BC846UF
Ordering
Information
Type NO. Marking Package Code
BC856UF CV
Outline Dimensions unit :
mm
SOT-323F
: h
FE
rank
S
S
e
e
m
m
i
i
c
c
o
o
n
n
d
d
u
u
c
c
t
t
o
o
r
r
PI N Connections
1. Base
2. Emitter
3. Collector
2.1
±
0.1
1.30
±
0.1
1
0
1
2
2
±
0
0
±
0
0
0
3
0
+
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC856W | PNP general purpose transistors |
| BC857W | PNP general purpose transistors |
| BC856 | General Purpose Transistor PNP Silicon(-65V通用型硅PNP晶體管) |
| BC856 | Small Signal Transistors (PNP)(小信號晶體管（PNP）) |
| BC857 | Small Signal Transistors (PNP)(小信號晶體管（PNP）) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BC856W | 制造商:KEXIN 制造商全稱:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:PNP General Purpose Transistor |
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| BC856W T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC856W,115 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC856W,135 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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