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參數資料
型號: BC857
廠商: 意法半導體
英文描述: Small Signal PNP Transistors(小信號PNP晶體管)
中文描述: 小信號PNP晶體管(小信號晶體管進步黨)
文件頁數: 1/5頁
文件大小: 44K
代理商: BC857
BC857
BC858
SMALL SIGNAL PNP TRANSISTORS
I
SILICON EPITAXIALPLANAR PNP
TRANSISTORS
I
MINIATUREPLASTIC PACKAGEFOR
APPLICATIONIN SURFACE MOUNTING
CIRCUITS
I
VERYLOW NOISE AF AMPLIFIER
I
NPN COMPLEMENTS FOR BC857 IS BC847
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
October 1997
1
2
3
SOT-23
Type
Marking
BC857A
3E
BC857B
3F
BC858A
3J
BC858B
3K
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
BC857
-50
-50
-45
BC858
-30
-30
-30
V
CES
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
I
EM
P
tot
T
stg
T
j
Collector-Emitter Voltage (V
BE
= 0)
Collector-Base Voltage (I
E
= 0)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Collector Peak Current
Base Peak Current
Emitter Peak Current
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
V
V
V
V
A
A
A
A
-5
-0.1
-0.2
-0.2
-0.2
300
mW
o
C
o
C
-65 to 150
150
1/5
相關PDF資料
PDF描述
BC858 Small Signal PNP Transistors(小信號PNP晶體管)
BC858B High Speed CMOS Logic 14-Stage Binary Counter 16-SOIC -55 to 125
BC857B High Speed CMOS Logic Hex Buffer/Line Driver with Inverting 3-State Outputs 16-SOIC -55 to 125
BC857A High Speed CMOS Logic Hex Buffer/Line Driver with Non-Inverting 3-State Outputs 16-SOIC -55 to 125
BC858A High Speed CMOS Logic 4-Bit by 16-Word FIFO Register 16-SOIC -55 to 125
相關代理商/技術參數
參數描述
BC857 T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC857,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC857,235 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC857 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR PNP SOT-23
BC857.215 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP general purpose transistors
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