- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄369429 > BC857AL TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 PDF資料下載
參數資料
| 型號： | BC857AL |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進步黨| 45V的五（巴西）總裁| 100mA的一（c）| SOT - 23封裝 |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 186K |
| 代理商： | BC857AL |
Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC857AR | TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236 |
| BC857W-A | BJT |
| BC857W-B | BJT |
| BC857W-C | BJT |
| BC858AL | FUSE HOLDER, 20X5MM; Current, fuse rating:16A; Approval category:UL Recognised; Temp, op. max:70(degree C); Temp, op. min:-25(degree C); Approval Bodies:CSA, SEMKO, VDE; Colour:Black; Current rating:16A; Diameter, bezel:15mm; RoHS Compliant: Yes |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BC857ALT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 50V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC857ALT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 50V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC857AM | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP general purpose transistors |
| BC857AM T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC857AM,315 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。