- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄295138 > BC857B/T4 (NXP SEMICONDUCTORS) 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB PDF資料下載
參數資料
| 型號： | BC857B/T4 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 封裝： | PLASTIC, SST3, SMD, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/10頁 |
| 文件大小： | 158K |
| 代理商： | BC857B/T4 |
DATA SHEET
Product data sheet
Supersedes data of 2003 Apr 09
2004 Jan 16
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BC856; BC857; BC858
PNP general purpose transistors
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC857T/R | 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| BC857BT/R | 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| BCL-A2SMYG1 | PCB CONNECTOR, SOCKET |
| BCP-3.3/15-2.5/15-D24L1 | 2-OUTPUT 50 W DC-DC REG PWR SUPPLY MODULE |
| BCR162F | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BC857BT-7 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC857BT-7-F | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC857BTA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC857BTC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC857BTE6327XT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3-Pin SC-75 T/R |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。