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參數資料
| 型號： | BC857BTT1 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進步黨| 45V的五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|的SOT - 416 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 25K |
| 代理商： | BC857BTT1 |
(SPEC-A32)
607
Transistors
BC857B
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC857BWQ62702C2294 | TRANSISTOR SOT323 |
| BC857CWQ62702C2295 | TRANSISTOR SOT323 |
| BC857CWT1 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-323 |
| BC857 | SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR |
| BC857A | SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BC857BTT1/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:General Purpose Transistor |
| BC857BTT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 50V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC857BUSTA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC857BUSTC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC857BV | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR PNP SOT-666 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, PNP, SOT-666 |
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