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參數資料
| 型號： | BC858BL |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進步黨| 30V的五（巴西）總裁| 100mA的一（c）| SOT - 23封裝 |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 186K |
| 代理商： | BC858BL |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC858BR | TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236 |
| BC859BR | Cartridge Fuse; Current Rating:500mA; Voltage Rating:250V; Fuse Type:Fast Acting; Fuse Size/Group:5 x 15 mm; Body Material:Glass; Diameter:4.5mm; Fuse Terminals:Ferrule; Leaded Process Compatible:No; Length:14.48mm RoHS Compliant: No |
| BC859CR | TRANSISTOR | BJT | PNP | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236 |
| BC856 | SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR |
| BC856A | SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BC858BL3E6327 | 功能描述:PNP TRANSISTOR SOT 23 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| BC858BL3E6327XT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3-Pin TSLP T/R |
| BC858BLT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC858BLT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC858BLT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
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