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參數資料
| 型號： | BC858F |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | High Speed CMOS Logic Phase-Locked-Loop with VCO 16-PDIP -55 to 125 |
| 中文描述： | 進步黨通用晶體管 |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 40K |
| 代理商： | BC858F |
DATA SHEET
Preliminary specification
Supersedes data of 1998 Nov 10
1999 May 21
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BC856F; BC857F; BC858F series
PNP general purpose transistors
M3D425
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC856F | High Speed CMOS Logic Quad Two-Input OR Gates 14-SOIC -55 to 125 |
| BC857F | High Speed CMOS Logic 8-Stage Synchronous Down Counters 16-SOIC -55 to 125 |
| BC858F | High Speed CMOS Logic Phase-Locked-Loop with VCO 16-PDIP -55 to 125 |
| BC859 | PNP general purpose transistor(PNP通用型晶體管) |
| BC860W | PNP general purpose transistors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BC858W | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Bipolar Junction Transistor, PNP Type, SOT-323 |
| BC858W /T3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC858W T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC858W,115 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC858W,135 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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