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參數資料
| 型號： | BC859BL |
| 英文描述： | Leaded Cartridge Fuse; Current Rating:8A; Voltage Rating:125V; Fuse Terminals:Axial Lead; Fuse Type:Fast Acting; Body Material:Glass; Diameter:4.5mm; Fuse Size/Group:5 x 15 mm; Leaded Process Compatible:No; Length:14.48mm |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進步黨| 30V的五（巴西）總裁| 100mA的一（c）| SOT - 23封裝 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 76K |
| 代理商： | BC859BL |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC859CL | Fuse Holder; Leaded Process Compatible:Yes; Terminal Type:Solder/Q.C. Terminal RoHS Compliant: Yes |
| BC859 | SOT23 NPN SILICON PLANAR |
| BC860AR | Automotive Fuse; Current Rating:25A; Voltage Rating:32V; Fuse Type:Fast Acting; Fuse Terminals:Blade; Length:18.54mm; Series:257; Voltage Rating:32V; Fuse Size/Group:18.54 x 19.05 x 5.08mm RoHS Compliant: Yes |
| BC856AR | TRANSISTOR | BJT | PNP | 65V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236 |
| BC856BL | TRANSISTOR | BJT | PNP | 65V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BC859BLT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC859BLT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC859BLT3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC859BLT3G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC859BMTF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 PNP GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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