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參數資料
| 型號： | BC860BWQ62702C2302 |
| 英文描述： | Leaded Cartridge Fuse; Current Rating:10mA; Voltage Rating:125V; Fuse Terminals:Radial Lead; Fuse Type:Fast Acting; Voltage Rating:125V; Body Material:Plastic Cap; Diameter:6.35mm; Leaded Process Compatible:No; Length:8.89mm |
| 中文描述： | 晶體管的SOT323 |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 46K |
| 代理商： | BC860BWQ62702C2302 |
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 1998 Jul 16
1999 May 28
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BC859; BC860
PNP general purpose transistors
book, halfpage
M3D088
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC860 | SOT23 NPN SILICON PLANAR |
| BC860 | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BC860B | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BC860C | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BC860 | EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BC860C | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 PNP GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC860C /T3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC860C,215 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC860C,235 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC860C | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR PNP SOT-23 |
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