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參數資料
| 型號： | BCP54 |
| 廠商： | DIOTEC SEMICONDUCTOR AG |
| 英文描述： | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| 中文描述： | 表面貼裝硅外延PlanarTransistors |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 127K |
| 代理商： | BCP54 |
1
) Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Ltpad) an jedem Anschlu
2
) Tested with pulses t
p
= 300 s, duty cycle 2% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 300 s, Schaltverhltnis 2%
26
01.11.2003
4
3
2
1
3
±0.1
6.5
±0.2
0.7
3.25
2.3
7
±
1.65
3
±
BCP 54, BCP 55, BCP 56
General Purpose Transistors
NPN
Surface mount Si-Epitaxial
PlanarTransistors
Si-Epitaxial PlanarTransistoren
für die Oberflchenmontage
NPN
Power dissipation – Verlustleistung
1.3 W
Plastic case
Kunststoffgehuse
SOT-223
Weight approx. – Gewicht ca.
0.04 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehusematerial UL94V-0 klassifiziert
Dimensions / Mae in mm
1 = B
2, 4 = C
3 = E
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (T
A
= 25 C)
Grenzwerte
(T
A
= 25 C)
BCP 55
60 V
60 V
5 V
1.3 W
1
)
1 A
1.5 A
200 mA
150 C
- 65…+ 150 C
BCP 54
45 V
45 V
BCP 56
80 V
100 V
Collector-Emitter-voltage
Collector-Base-voltage
Emitter-Base-voltage
Power dissipation – Verlustleistung
Collector current – Kollektorstrom (DC)
Peak Collector current – Koll.-Spitzenstrom
Peak Base current – Basis-Spitzenstrom
Junction temp. – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
B open
E open
C open
V
CE0
V
CB0
V
EB0
P
tot
I
C
I
CM
I
BM
T
j
T
S
Characteristics (T
j
= 25 C)
Kennwerte (T
j
= 25 C)
Typ.
Min.
Max.
Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom
I
E
= 0, V
CB
= 30 V
I
E
= 0, V
CB
= 30 V, T
j
= 125 C
Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom
I
C
= 0, V
EB
= 5 V
Collector saturation volt. – Kollektor-Sttigungsspg.
2
)
I
C
= 500 mA, I
B
= 50 mA
I
CB0
I
CB0
–
–
–
–
100 nA
10 A
I
EB0
–
–
100 nA
V
CEsat
–
–
500 mV
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BCP5616 | |
| BCP5610 | Obsolete - alternative part: BCP5616 |
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| BCP56 | MEDIUM POWER AMPLIFIER |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| BCP54 T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCP54,115 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCP54,135 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCP54 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-223 |
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