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參數資料
型號: BCR08AS8
英文描述: TRIAC|400V V(DRM)|800MA I(T)RMS|SOT-89
中文描述: 可控硅| 400V五(DRM)的| 800mA的我(T)的有效值|采用SOT - 89
文件頁數: 1/2頁
文件大小: 54K
代理商: BCR08AS8
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相關PDF資料
PDF描述
BCR08AS-8 LOW POWER USE NON-INSULATED TYPE, PLANAR PASSIVATION TYPE
BCR10CM12 TRIAC|600V V(DRM)|10A I(T)RMS|TO-220AB
BCR10CS8L TRIAC|400V V(DRM)|10A I(T)RMS|TO-263AB
BCR10CS8R TRIAC|400V V(DRM)|10A I(T)RMS|TO-263AB
BCR10PM12L TRIAC|600V V(DRM)|10A I(T)RMS|TO-220AB
相關代理商/技術參數
參數描述
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BCR08DS-14AT13#BD0 功能描述:TRIAC SENS GAT 700V 800MA SOT223 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 三端雙向可控硅類型:邏輯 - 靈敏柵極 電壓 - 斷態:700V 電流 - 通態(It(RMS))(最大值):800mA 電壓 - 柵極觸發(Vgt)(最大值):2V 電流 - 不重復浪涌 50,60Hz(Itsm):8A @ 60Hz 電流 - 柵極觸發(Igt)(最大值):7mA 配置:單一 工作溫度:-40°C ~ 125°C (TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:SOT-223 標準包裝:3,000
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