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參數資料
| 型號： | BCV48-T |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-243AA |
| 封裝： | PLASTIC, SC-62, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 119K |
| 代理商： | BCV48-T |
DATA SHEET
Product data sheet
Supersedes data of 1999 Apr 08
2004 Dec 06
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BCV28; BCV48
PNP Darlington transistors
dbook, halfpage
M3D109
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BCW29CSM-JQR-B | 100 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| BCW29T/R | 100 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| BCW60DL99Z | 100 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| BCW61C-T | 200 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| BCW61CTRL13 | 200 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BCV48T/R | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans Darlington PNP 60V 0.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
| BCV48TA | 功能描述:達林頓晶體管 PNP Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| BCV49 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| BCV49 /T3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS DARLINGTON TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCV49 T/R | 功能描述:達林頓晶體管 TRANS DARLINGTON TAPE-7 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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