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參數資料
| 型號： | BCV61B |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN general-purpose double transistors |
| 中文描述： | NPN 通用雙晶體管 |
| 封裝： | BCV61<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 49, 2002,;BCV61<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 49, 20 |
| 文件頁數： | 1/13頁 |
| 文件大小： | 138K |
| 代理商： | BCV61B |
1.
Product profile
1.1 General description
NPN general-purpose double transistors in a small SOT143B Surface-Mounted
Device (SMD) plastic package.
Table 1.
Type number
1.2 Features
Low current (max. 100 mA)
Low voltage (max. 30 V)
Matched pairs
1.3 Applications
Applications with working point independent of temperature
Current mirrors
2.
Pinning information
Table 2.
Pin
1
BCV61
NPN general-purpose double transistors
Rev. 04 — 18 December 2009
Product data sheet
Product overview
Package
NXP
SOT143B
PNP complement
JEITA
-
BCV61
BCV61A
BCV61B
BCV61C
BCV62
BCV62A
BCV62B
BCV62C
Pinning
Description
collector TR2;
base TR1 and TR2
collector TR1
emitter TR1
emitter TR2
Simplified outline
Graphic symbol
2
3
4
2
1
3
4
006aaa842
1
2
4
TR2
TR1
3
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BCV62A | PNP general-purpose double transistors |
| BCV62C | PNP general-purpose double transistors |
| BCV71 | NPN general purpose transistors |
| BCW60C | NPN general purpose transistors |
| BCW66H | NPN Small Signal Transistor 330mW |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BCV61B /T3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MATCHED PAIR TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCV61B T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS DOUBLE TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCV61B,215 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS DOUBLE TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCV61B,235 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MATCHED PAIR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| bcv61b215 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR DUAL NPN 30V SOT 制造商:NXP 功能描述: |
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