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參數(shù)資料
| 型號： | BCV61CQ62702-C2157 |
| 英文描述： | TRANSISTOR DUAL SOT 143 5ST |
| 中文描述： | 雙晶體管采用SOT 143 5ST |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 95K |
| 代理商： | BCV61CQ62702-C2157 |
BCV 61
1
Sep-30-1999
NPN Silicon Double Transistor
To be used as a current mirror
Good thermal coupling and
V
BE
matching
High current gain
Low collector-emitter saturation voltage
VPS05178
2
1
3
4
EHA00012
C2 (1)
Tr.2
Tr.1
C1 (2)
E1 (3)
E2 (4)
Type
BCV 61A
BCV 61B
BCV 61C
Marking
1Js
1Ks
1Ls
Pin Configuration
2 = C1
2 = C1
2 = C1
Package
SOT-143
SOT-143
SOT-143
1 = C2
1 = C2
1 = C2
3 = E1
3 = E1
3 = E1
4 = E2
4 = E2
4 = E2
Maximum Ratings
Parameter
Value
Symbol
Unit
V
CEO
30
V
Collector-emitter voltage
(transistor T1)
V
CBO
30
Collector-base voltage (open emitter)
(transistor T1)
6
V
EBS
I
C
I
CM
I
BM
P
tot
T
j
T
stg
Emitter-base voltage
DC collector current
mA
100
Peak collector current
200
Base peak current (transistor T1)
200
Total power dissipation
,
T
S
= 99 °C
Junction temperature
300
mW
°C
150
-65 ... 150
Storage temperature
Thermal Resistance
Junction ambient
1)
R
thJA
R
thJS
≤
240
≤
170
K/W
Junction - soldering point
1) Package mounted on pcb 40mm x 40mm x 1.5mm / 6cm2 Cu
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| BCV62,215 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 30V 100mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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