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參數資料
| 型號： | BCW33LR |
| 英文描述： | FUSE 100A 32V MIDI BOLT-ON |
| 中文描述： | 晶體管 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 107K |
| 代理商： | BCW33LR |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BCW60DL | BJT |
| BCW60DLR | BJT |
| BCW61CLR | BJT |
| BCW65AL | DIODE TVS 33V 1500W 5% UNI AXL |
| BCW65ALR | DIODE TVS 400V 1500W 5% UNI AXL |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BCW33LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 32V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCW33LT1/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:General Purpose Transistor NPN |
| BCW33LT1D | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistor |
| BCW33LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 32V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCW33LT3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 32V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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