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參數資料
型號: BCW60
廠商: NXP Semiconductors N.V.
英文描述: NPN general purpose transistors
中文描述: NPN通用型晶體管
文件頁數: 1/2頁
文件大小: 101K
代理商: BCW60
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PDF描述
BCW60 SOT23 NPN SILICON PLANAR SMALL SIGNAL TRANSISTORS
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參數描述
BCW60A 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN/ 32V/ 100mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW60A 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Transistor
BCW60A/E8 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23
BCW60A/E9 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23
BCW60A_D87Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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