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參數(shù)資料
| 型號： | BCW60DR |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | SOT23 NPN SILICON PLANAR SMALL SIGNAL TRANSISTORS |
| 中文描述： | 200 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SOT23, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | BCW60DR |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BCW60C | 4.7 OHMS 5% 1/4 WATT CHIP 1206 RESISTOR, SMD, 1206 |
| BCW60C-AC | SOT23 NPN SILICON PLANAR SMALL SIGNAL TRANSISTORS |
| BCW60DR-BR | SOT23 NPN SILICON PLANAR SMALL SIGNAL TRANSISTORS |
| BCW60B | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BCW60D | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BCW60DR-BR | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:SOT23 NPN SILICON PLANAR SMALL SIGNAL TRANSISTORS |
| BCW60DRTA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCW60DRTC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCW60DT/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236AA |
| BCW60DT116 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 32V 200MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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