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參數資料
型號: BCW61SERIES
英文描述: TVS Diode; Diode Type:Unidirectional TVS; Stand-Off Voltage, VRWM:171V; Breakdown Voltage, Vbr:190V; Package/Case:DO-201; Leaded Process Compatible:Yes; No. of Lines Protected Max:1; Peak Pulse Current IPP @ 10x1000uS:5.5A RoHS Compliant: Yes
中文描述: 進步黨通用晶體管
文件頁數: 1/2頁
文件大小: 97K
代理商: BCW61SERIES
相關PDF資料
PDF描述
BCX71RH ###############################################################################################################################################################################################################################################################
BCW61 Small Signal Transistors (PNP)
BCW61 Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BCW61B Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BCW61C Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
相關代理商/技術參數
參數描述
BCW65 制造商:BILIN 制造商全稱:Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited 功能描述:NPN General Purpose Amplifier
bcw65a 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
BCW65AL 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT
BCW65ALR 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT
BCW65ALT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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