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參數資料
| 型號： | BCW68FLR |
| 英文描述： | BJT |
| 中文描述： | 雙極型晶體管 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 107K |
| 代理商： | BCW68FLR |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BCW70LR | BJT |
| BCW72LR | BJT |
| BCW29L | TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
| BCW29LR | BJT |
| BCW30LR | BJT |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BCW68FR | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| BCW68FR-7T | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:SOT23 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
| BCW68FTA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCW68FTC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCW68FVL | 功能描述:BCW68FSOT23TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:450mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:5μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:250mW 頻率 - 躍遷:80MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:TO-236AB 標準包裝:1 |
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