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參數資料
| 型號： | BCW68HR |
| 廠商： | ZETEX PLC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| 中文描述： | 800 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SOT-23, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 82K |
| 代理商： | BCW68HR |
1
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
PNP Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCEO
VCBO
VEBO
IC
–45
Vdc
Collector–Base Voltage
–60
Vdc
Emitter–Base Voltage
–5.0
Vdc
Collector Current — Continuous
–800
mAdc
DEVICE MARKING
BCW68GLT1 = DH
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Total Device Dissipation FR-5 Board (1)
TA = 25
°
C
Derate above 25
°
C
PD
225
1.8
mW
mW/
°
C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
R
θ
JA
PD
556
°
C/W
Total Device Dissipation
Alumina Substrate, (2) TA = 25
°
C
Derate above 25
°
C
300
2.4
mW
mW/
°
C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
R
θ
JA
TJ, Tstg
417
°
C/W
Junction and Storage Temperature
–55 to +150
°
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Breakdown Voltage (IC = –10 mAdc, IB = 0)
Collector–Emitter Breakdown Voltage (IC = –10
μ
Adc, VEB = 0)
Emitter–Base Breakdown Voltage (IE = –10
μ
Adc, IC = 0)
Collector Cutoff Current
(VCE= –45 Vdc, IE = 0)
(VCE= –45 Vdc, IB = 0, TA = 150
°
C)
V(BR)CEO
V(BR)CES
V(BR)EBO
ICES
–45
—
—
Vdc
–60
—
—
Vdc
–5.0
—
—
Vdc
—
—
—
—
–20
–10
nAdc
μ
Adc
Emitter Cutoff Current (VEB = –4.0 Vdc, IC = 0)
IEBO
—
—
–20
nAdc
1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company
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by BCW68GLT1/D
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
1
2
3
CASE 318–08, STYLE 6
SOT–23 (TO–236AB)
COLLECTOR
3
1
BASE
2
EMITTER
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BCW68 | RES, 56.2K OHM 1% 1/8W |
| BCW68F | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| BCW68FR | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| BCW68G | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| BCW68H | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BCW68HR-7N | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:SOT23 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
| BCW68HRTA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCW68HRTC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCW68HTA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCW68HTC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Low Saturation RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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