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參數資料
型號: BCW89
廠商: DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
英文描述: Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
中文描述: 表面貼裝硅外延PlanarTransistors
文件頁數: 1/1頁
文件大小: 51K
代理商: BCW89
相關PDF資料
PDF描述
BCW89 EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING)
BCW93K TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-92VAR
BCX17CSM General Purpose PNP Transistor In a Hermetically Sealed Cermic Surface Mount Package For High Reliability Application(通用PNP晶體管(陶瓷表貼封裝,高可靠性應用Vceo = 45V,Ic = 500mA))
BCX17LT3 TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-23
BCX17-25 General Purpose PNP Transistor
相關代理商/技術參數
參數描述
BCW89 T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW89,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW89/T1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR SOT-23
BCW89_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 PNP GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW89R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236
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