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參數資料
| 型號： | BCWALT1 |
| 廠商： | 樂山無線電股份有限公司 |
| 英文描述： | General Purpose Transistors(NPN Silicon) |
| 中文描述： | 通用晶體管（NPN硅） |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 315K |
| 代理商： | BCWALT1 |
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
M9–1/6
1
3
2
General Purpose Transistors
NPN Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Collector–Emitter Voltage
V
CEO
32
Vdc
Collector–Base Voltage
V
CBO
32
Vdc
Emitter–Base Voltage
V
EBO
5.0
Vdc
Collector Current — Continuous
I
C
100
mAdc
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Total Device Dissipation FR– 5 Board, (1)
T
A
= 25°C
Derate above 25°C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Total Device Dissipation
Alumina Substrate, (2) T
A
= 25°C
Derate above 25°C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Junction and Storage Temperature
Symbol
Max
Unit
P
D
225
mW
1.8
mW/°C
R
θ
JA
556
°C/W
P
D
300
2.4
mW
mW/°C
R
θ
JA
T
J
, T
stg
417
°C/W
°C
–55 to +150
DEVICE MARKING
BCW60ALT1 = AA, BCW60BLT1 = AB, BCW60DLT1 = AD
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25°C unless otherwise noted.)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Breakdown Voltage
(I
C
= 2.0mAdc, I
E
= 0 )
V
(BR)CEO
32
—
Vdc
Emitter–Base Breakdown Voltage
(I
E
= 1.0
μ
Adc, I
C
= 0)
V
(BR)EBO
5.0
—
Vdc
Collector Cutoff Current
I
CES
(V
CE
= 32 Vdc, )
—
20
nAdc
(V
CE
= 32 Vdc, T
A
= 150°C)
—
20
μ
Adc
Emitter Cutoff Current
(I
EB
= 4.0 Vdc, I
C
= 0)
I
EBO
—
20
nAdc
1. FR– 5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.
BCW60ALT1
BCW60BLT1
BCW60DLT1
CASE 318–08, STYLE 6
SOT–23 (TO–236AB)
2
EMITTER
3
COLLECTOR
1
BASE
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BCX22 | Small Signal Transistors |
| BCX24 | Small Signal Transistors |
| BCX39 | Small Signal Transistors |
| BCX94 | Small Signal Transistors |
| BC110 | Small Signal Transistors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BCWBLT1 | 制造商:LRC 制造商全稱:Leshan Radio Company 功能描述:General Purpose Transistors(NPN Silicon) |
| BCWDLT1 | 制造商:LRC 制造商全稱:Leshan Radio Company 功能描述:General Purpose Transistors(NPN Silicon) |
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