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參數(shù)資料
| 型號： | BCX18L |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-23 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進步黨| 25V的五（巴西）總裁| 500mA的一（c）| SOT - 23封裝 |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 231K |
| 代理商： | BCX18L |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BCX17 | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| BCX17R | PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| BCX17 | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BCX17CSM | GENERAL PURPOSE PNP TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS |
| BCX17LT1 | General Purpose Transistors |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BCX18LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCX18LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCX18R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236 |
| BCX18T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-23 |
| BCX18TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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