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參數資料
型號: BCX18LT1
廠商: 樂山無線電股份有限公司
英文描述: General Purpose Transistors
中文描述: 通用晶體管
文件頁數: 1/1頁
文件大小: 57K
代理商: BCX18LT1
相關PDF資料
PDF描述
BCX19CSM4 General Purpose NPN Transistor In a Hermetically Sealed Cermic Surface Mount Package For High Reliability Application(通用NPN晶體管(陶瓷表貼封裝,高可靠性應用Vceo = 45V,Ic = 500mA))
BCX20R TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236
BCX20 Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BCX20LT1 General Purpose Transistors
BCX51-6 TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-89
相關代理商/技術參數
參數描述
BCX18LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCX18R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-236
BCX18T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-23
BCX18TA 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCX18TC 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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