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參數資料
型號: BCX52-10
廠商: NXP Semiconductors N.V.
元件分類: 功率晶體管
封裝: BCP52-16<SOT223 (SC-73)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT223.html<1<week 34, 2003,;BCX52<SOT89 (SOT89)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT89.html<1<week 28, 2003,;BCX
文件頁數: 1/12頁
文件大小: 115K
代理商: BCX52-10
1.
Product profile
1.1 General description
PNP medium power transistor series.
[1]
Valid for all available selection groups.
1.2 Features
I
High current
I
Two current gain selections
I
High power dissipation capability
1.3 Applications
I
Linear voltage regulators
I
High-side switches
I
MOSFET drivers
I
Amplifiers
1.4 Quick reference data
BCP52; BCX52
60 V, 1 A PNP medium power transistors
Rev. 08 — 25 February 2008
Product data sheet
Table 1.
Type number
[1]
Product overview
Package
NXP
SOT223
SOT89
NPN complement
JEITA
SC-73
SC-62
JEDEC
-
TO-243
BCP52
BCX52
BCP55
BCX55
Table 2.
Symbol
V
CEO
I
C
I
CM
h
FE
Quick reference data
Parameter
collector-emitter voltage
collector current
peak collector current
DC current gain
Conditions
open base
Min
-
-
-
63
Typ
-
-
-
-
Max
60
1
1.5
250
Unit
V
A
A
single pulse; t
p
1 ms
V
CE
=
2 V;
I
C
=
150 mA
V
CE
=
2 V;
I
C
=
150 mA
V
CE
=
2 V;
I
C
=
150 mA
h
FE
selection -10
63
-
160
h
FE
selection -16
100
-
250
相關PDF資料
PDF描述
BCX52-16
BCP54
BCP54-16
BCX54
BCX54-10
相關代理商/技術參數
參數描述
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BCX52-10,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCX52-10115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR PNP 60V 1A SOT89
BCX52-10-AG 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:SOT89 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
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