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參數(shù)資料
型號(hào): BCX53
廠商: CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR
中文描述: 1 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù): 1/8頁
文件大小: 42K
代理商: BCX53
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 1997 Jul 04
1999 Apr 19
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BCX51; BCX52; BCX53
PNP medium power transistors
book, halfpage
M3D109
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BCX53 SOT89 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
BCX53-10-AK SOT89 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
BCX53-16 SOT89 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
BCX53-16-AL SOT89 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
BCX53-AH SOT89 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BCX53 T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCX53,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCX53,120 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
BCX53,146 功能描述:兩極晶體管 - BJT Trans GP BJT PNP 80V 1A 4-Pin(3+Tab) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCX5310 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Obsolete - alternative part: BCX5316
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