- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄369442 > BCX55 (CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP) SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BCX55 |
| 廠商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類(lèi)： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR |
| 中文描述： | 1 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/1頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 17K |
| 代理商： | BCX55 |
SOT89 NPN SILICON PLANAR
MEDIUM POWER TRANSISTORS
ISSUE 3 – FEBRUARY 1996
%
PARTMARKING DETAILS:-
BCX54 – BA
BCX55 – BE
BCX56 – BH
BCX54-10 – BC
BCX55-10 – BG
BCX56-10 – BK
BCX54-16 – BD
BCX55-16 – BM
BCX56-16 – BL
COMPLEMENTARY TYPES:-
BCX54 – BCX51 BCX55 – BCX52 BCX56 – BCX53
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
BCX54
BCX55
BCX56
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
45
60
100
V
Collector-Emitter Voltage
45
60
80
V
Emitter-Base Voltage
5
V
Peak Pulse Current
2
A
Continuous Collector Current
1
A
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
1
W
-65 to +150
°C
MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS.
Collector-Base Breakdown
Voltage
BCX54
BCX55
BCX56
V
(BR)CBO
45
60
100
V
I
C
=100
μ
A
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
BCX54
BCX55
BCX56
V
(BR)CEO
45
60
80
V
I
C
=10mA*
Emitter-Base Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
I
CBO
5
V
I
E
=10
μ
A
V
CB
=30V
V
CB
=30V, T
amb
=150°C
V
EB
=4V
I
C
=500mA, I
B
=50mA*
I
C
=500mA, V
CE
=2V*
I
C
=5mA, V
=2V*
I
C
=150mA, V
CE
=2V*
I
C
=500mA, V
CE
=2V*
I
C
=150mA, V
CE
=2V*
I
C
=150mA, V
CE
=2V*
MHz I
=50mA, V
CE
=10V,
f=100MHz
Collector Cut-Off Current
0.1
20
μ
A
μ
A
Emitter Cut-Off Current
I
EBO
20
nA
Collector-Emitter Saturation Voltage V
CE(sat)
Base-Emitter Turn-On Voltage
0.5
V
V
BE(on)
h
FE
1.0
V
Static Forward Current Transfer
Ratio
–10
–16
25
40
25
63
100
250
160
250
Transition Frequency
f
T
150
Output Capacitance
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
C
obo
15
pF
V
CB
=10V, f=1MHz
BCX54
BCX55
BCX56
C
C
B
E
3 - 35
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BCX55 | SOT89 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
| BCX55-10-BG | SOT89 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
| BCX55-16-BM | SOT89 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
| BCX55-BE | SOT89 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
| BCX54 | SOT89 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BCX55 T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCX55,115 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCX55,135 | 功能描述:BCX55/SOT89/MPT3 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車(chē)級(jí)，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA，2V 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-89 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 |
| BCX55 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-89 |
| BCX55/ | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NPN Medium Power Transistor |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。