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參數資料
| 型號： | BCX55 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 封裝： | BCP55<SOT223 (SC-73)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT223.html<1<week 34, 2003,;BCP55<SOT223 (SC-73)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT223.html<1<week 34, 2003,;BCP5 |
| 文件頁數： | 1/15頁 |
| 文件大小： | 153K |
| 代理商： | BCX55 |
1.
Product profile
1.1 General description
NPN medium power transistor series.
[1]
Valid for all available selection groups.
[2]
Also available in SOT54A and SOT54 variant packages (see
Section 2
).
1.2 Features
I
High current
I
Two current gain selections
I
High power dissipation capability
1.3 Applications
I
Linear voltage regulators
I
Low-side switches
I
MOSFET drivers
I
Amplifiers
1.4 Quick reference data
BC637; BCP55; BCX55
60 V, 1 A NPN medium power transistors
Rev. 07 — 25 June 2007
Product data sheet
Table 1.
Type number
[1]
Product overview
Package
NXP
SOT54
SOT223
SOT89
PNP complement
JEITA
SC-43A
SC-73
SC-62
JEDEC
TO-92
-
TO-243
BC637
[2]
BCP55
BCX55
BC638
BCP52
BCX52
Table 2.
Symbol
V
CEO
I
C
I
CM
h
FE
Quick reference data
Parameter
collector-emitter voltage
collector current
peak collector current
DC current gain
h
FE
selection -10
h
FE
selection -16
Conditions
open base
Min
-
-
-
63
63
100
Typ
-
-
-
-
-
-
Max
60
1
1.5
250
160
250
Unit
V
A
A
single pulse; t
p
≤
1 ms
V
CE
= 2 V; I
C
= 150 mA
V
CE
= 2 V; I
C
= 150 mA
V
CE
= 2 V; I
C
= 150 mA
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BCX55-10 | |
| BCR5PM-12LG-A8 | 400 W Transient Voltage Suppressor, SOD123W (SOD2 FlatPower), Reel Pack, SMD |
| BCU81-SMD | NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR |
| BCU83-SMD | NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR |
| BCU86-SMD | NPN/PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BCX55 T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCX55,115 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCX55,135 | 功能描述:BCX55/SOT89/MPT3 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA，2V 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89 標準包裝:4,000 |
| BCX55 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-89 |
| BCX55/ | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NPN Medium Power Transistor |
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