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參數資料
| 型號： | BCX70HR-9P |
| 廠商： | Zetex Semiconductor |
| 英文描述： | SOT23 NPN SILICON PLANAR SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 中文描述： | 采用SOT23 NPN硅平面小信號晶體管 |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 42K |
| 代理商： | BCX70HR-9P |
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 1997 Mar 14
1999 Apr 15
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BCX70 series
NPN general purpose transistors
ok, halfpage
M3D088
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BCX70J | SOT23 NPN SILICON PLANAR SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| BCX70J-AJ | SOT23 NPN SILICON PLANAR SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| BCX70JR | SOT23 NPN SILICON PLANAR SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| BCX70JR-AX | SOT23 NPN SILICON PLANAR SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| BCX70K | SOT23 NPN SILICON PLANAR SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BCX70HT/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SOT-23 |
| BCX70J | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN/ 45V/ 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCX70J /T3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCX70J T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCX70J,215 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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