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參數資料
| 型號： | BCX71KR |
| 英文描述： | Cartridge Fuse; Current Rating:40mA; Voltage Rating:250V; Fuse Type:Time Delay; Fuse Size/Group:1/4 x 1-1/4 "; Body Material:Glass; Diameter:6.35mm; Leaded Process Compatible:Yes; Length:31.75mm; Series:313P; Voltage Rating:250V RoHS Compliant: Yes |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進步黨| 45V的五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|至236 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 105K |
| 代理商： | BCX71KR |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BCX71 | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BCX71G | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BCX71H | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BCX71J | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BCX71K | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BCX71KRTA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCX71KRTC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCX71KT/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SOT-23 |
| BCX71KTA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCX71KTC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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