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參數資料
型號: BCX79-8
英文描述: Cartridge Fuse; Current Rating:9A; Voltage Rating:250V; Fuse Type:Very Fast Acting; Fuse Size/Group:1/4 x 1-1/4 "; Body Material:Ceramic; Diameter:6.35mm; Fuse Terminals:Ferrule; Leaded Process Compatible:Yes; Length:31.75mm RoHS Compliant: Yes
中文描述: 晶體管|晶體管|進步黨| 45V的五(巴西)總裁| 100mA的一(c)|至92
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代理商: BCX79-8
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相關PDF資料
PDF描述
BD839 SCR Thyristor; SCR Type:Sensitive Gate; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:600V; On-State RMS Current, IT(rms):4A; Peak Non Repetitive Surge Current, Itsm:30A; Gate Trigger Current Max, Igt:200uA
BD841 SCR Thyristor; SCR Type:Standard Gate; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:600V; On-State RMS Current, IT(rms):6A; Peak Non Repetitive Surge Current, Itsm:100A; Gate Trigger Current Max, Igt:15mA
BD843 SCR Thyristor; SCR Type:Standard Gate; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:600V; On-State RMS Current, IT(rms):8A; Peak Non Repetitive Surge Current, Itsm:100A; Gate Trigger Current Max, Igt:15uA
BF195 600mA Voltage-Scaling Step-Down Converter for RF Power Amplifiers with Bypass Swtich
BF254-4 1.8A Current Limited P-Channel Switch
相關代理商/技術參數
參數描述
BCX799 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCX79-9 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BCX799_D26Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT TO-92 REVERSE MOLD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCX799_D27Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT TO-92 REVERSE MOLD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCX799_J35Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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