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參數資料
型號: BCY59IX
廠商: NXP Semiconductors N.V.
英文描述: NPN switching transistors
中文描述: NPN開關晶體管
文件頁數: 1/1頁
文件大小: 84K
代理商: BCY59IX
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PDF描述
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參數描述
BCY59-IX 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):45V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):700mV @ 2.5mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):10nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):630 @ 10mA,1V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:150MHz 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-18 標準包裝:2,000
BCY59VII 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN switching transistors
BCY59-VII 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):45V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):700mV @ 2.5mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):10nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:150MHz 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-18 標準包裝:2,000
BCY59VIII 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Low Noise Audio RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCY59-VIII 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):45V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):700mV @ 2.5mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):10nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):180 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:150MHz 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-18 標準包裝:2,000
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