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參數資料
| 型號： | BCY79-IX |
| 廠商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | PNP SILICON TRANSISTOR |
| 中文描述： | 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 73K |
| 代理商： | BCY79-IX |
(SEE REVERSE SIDE)
R3
BCY78, VII, VIII, IX, X
BCY79, VII, VIII, IX, X
PNP SILICON TRANSISTOR
JEDEC TO-18 CASE
DATA SHEET
DESCRIPTION
The CENTRAL SEMICONDUCTOR BCY78, BCY79 Series types are Silicon PNP Epitaxial Planar Transistors,
mounted in a hermetically sealed metal case, designed for low noise amplifier and switching applications.
MAXIMUM RATINGS (TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
Collector-Base Voltage
VCBO
Collector-Emitter Voltage
VCEO
Emitter-Base Voltage
VEBO
Collector Current
IC
Collector Current (Peak)
ICM
Base Current (Peak)
IBM
Power Dissipation
PD
Power Dissipation(TC=25°C)
PD
Operating and Storage
Junction Temperature
TJ,Tstg
Thermal Resistance
Θ
JA
Thermal Resistance
Θ
JC
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
ICBO
VCB= Rated VCBO
ICBO
VCB= Rated VCBO, TA=150°C
IEBO
VEB=5.0V
BVCBO
IC=10μA (BCY78)
BVCBO
IC=10μA (BCY79)
BVCEO
IC=2.0mA (BCY78)
BVCEO
IC=2.0mA (BCY79)
BVEBO
IE=1.0μA
VCE(SAT)
IC=10mA, IB=250μA
VCE(SAT)
IC=100mA, IB=2.5mA
VBE(SAT)
IC=10mA, IB=250μA
VBE(SAT)
IC=100mA, IB=2.5mA
VBE(ON)
VCE=5.0V, IC=2.0mA
BCY78-VII
BCY79-VII
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
hFE
VCE=5.0V, IC=10μA
140 TYP
hFE
VCE=5.0V, IC=2.0mA
120
hFE
VCE=1.0V, IC=10mA
80
hFE
VCE=1.0V, IC=100mA
40
BCY78
32
32
BCY79
45
45
UNITS
V
V
V
mA
mA
mA
mW
W
5.0
100
200
200
340
1.0
-65 to +200
450
150
°C
°C/W
°C/W
MIN
32
45
32
45
5.0
0.60
0.70
0.60
1.20
0.75
MAX
15
10
20
0.25
0.80
0.85
UNITS
nA
μA
nA
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
BCY78-VIII
BCY79-VIII
MIN
30
180
120
45
BCY78-IX
BCY79-IX
MIN
40
250
160
60
BCY78-X
BCY79-X
MIN
100
380
240
60
MAX
MAX
310
400
MAX
460
630
MAX
220
630
1000
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BCY79-X | PNP SILICON TRANSISTOR |
| BCY79-VII | PNP SILICON TRANSISTOR |
| BD-A302ND-A | Shielded SMD Inductor Design Kit |
| BD-A501RD | DUAL DIGIT LED DISPLAYS |
| BD-F412RD | DUAL DIGIT LED DISPLAYS |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BCY79VII | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP switching transistors |
| BCY79-VII | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:PNP SILICON TRANSISTOR |
| BCY79VIII | 功能描述:兩極晶體管 - BJT RO 511-2N4033 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCY79-VIII | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:PNP SILICON TRANSISTOR |
| BCY79X | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-206AA |
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