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參數資料
| 型號： | BD034-TO-126 |
| 廠商： | 江蘇長電科技股份有限公司 |
| 英文描述： | TRANSISTOR (PNP) |
| 中文描述： | 晶體管（進步黨） |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 100K |
| 代理商： | BD034-TO-126 |
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors
BD034
TRANSISTOR (PNP)
FEATURES
Power dissipation
P
CM:
1.25 W (Tamb=25
℃
)
Collector current
I
CM:
-2.5 A
Collector-base voltage
V
(BR)CBO
: -110 V
Operating and storage junction temperature range
T
J
, T
stg
: -55
℃
to +150
℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25
℃
unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test conditions
MIN
TYP
MAX
UNIT
Collector-base breakdown voltage
V
(BR)CBO
Ic=
-100
μA, I
E
=0
-110
V
Collector-emitter breakdown voltage
V
(BR)CEO
Ic=
-10
mA, I
B
=0
-80
V
Emitter-base breakdown voltage
V
(BR)EBO
I
E
=
-100
μA, I
C
=0
-7
V
Collector cut-off current
I
CBO
V
CB
=
-100
V, I
E
=0
-1
μA
Emitter cut-off current
I
EBO
V
EB
=
-5
V, I
C
=0
-1
μA
h
FE(1)
V
CE
=
-2
V, I
C
=
-100
mA
100
560
DC current gain
h
FE(2)
V
CE
=
-2
V, I
C
=
-1.5
A
40
Collector-emitter saturation voltage
V
CE(sat)
I
C
=
-2
A, I
B
=
-200
mA
-0.5
V
Base-emitter voltage
V
BE
V
CE
=
-5
V, I
C
=
-500
mA
-1
V
Transition frequency
f
T
V
CE
=
-1
V, I
C
=
-250
mA, f=1MHz
3
MHz
CLASSIFICATION OF h
FE(1)
Rank
R
S
T
U
Range
100-200
140-280
200-400
280-560
1 2 3
TO-126
1. EMITTER
2. COLLECTOR
3. BASE
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BD115 | Small Signal Transistors |
| BD181 | HIGH-POWER SILICON NPN TRANSISTORS |
| BD2500 | 25A BOSCH TYPE PRESS-FIT DIODE |
| BD2501 | 25A BOSCH TYPE PRESS-FIT DIODE |
| BD2502 | 25A BOSCH TYPE PRESS-FIT DIODE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BD038-16-B-1-0450-L-B | 制造商:GLOBAL CONNECTOR TECHNOLOGY 功能描述:BDO Series 16 Position Dual Row ( 8 x 2 ) 1.27 mm Pitch Surface Mount Header |
| BD-03AFFM-QL8D01 | 功能描述:STANDARD 制造商:amphenol ltw 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:10 |
| BD-03AFFM-QL8E01 | 功能描述:STANDARD 制造商:amphenol ltw 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:10 |
| BD-03AFFM-QR8D01 | 功能描述:STANDARD 制造商:amphenol ltw 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:10 |
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