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參數(shù)資料
型號: BD136-16
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 功率晶體管
英文描述: PNP power transistors
中文描述: 1.5 A, 45 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
封裝: PLASTIC, TO-126, 3 PIN
文件頁數(shù): 1/8頁
文件大小: 44K
代理商: BD136-16
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 1997 Mar 26
1999 Apr 12
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BD136; BD138; BD140
PNP power transistors
ok, halfpage
M3D100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BD136 PNP SILICON TRANSISTORS
BD139-10 NPN power transistors
BD137 NPN power transistors
BD139 NPN power transistors
BD139-16 NPN power transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BD13616S 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD13616STU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD136-25 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126
BD1366 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Medium Power Linear and Switching Applications
BD136-6 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:PNP SILICON TRANSISTORS
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