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參數資料
| 型號： | BD138-10 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | PNP power transistors |
| 中文描述： | 1.5 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 封裝： | PLASTIC, TO-126, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 44K |
| 代理商： | BD138-10 |
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 1997 Mar 26
1999 Apr 12
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BD136; BD138; BD140
PNP power transistors
ok, halfpage
M3D100
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BD138-16 | PNP power transistors |
| BD140-10 | PNP power transistors |
| BD140-16 | PNP power transistors |
| BD136-25 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126 |
| BD138-25 | Triac; Thyristor Type:Sensitive Gate; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:200V; On State RMS Current, IT(rms):800mA; Gate Trigger Current (QI), Igt:3mA; Current, It av:0.8A; Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BD13810S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BD13810STU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BD13816 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Medium Power Linear and Switching Applications |
| BD138-16 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP power transistors |
| BD13816S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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