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參數資料
| 型號： | BD179-16 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-225AA |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 80V的五（巴西）總裁| 3A條一（c）|至225AA |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 173K |
| 代理商： | BD179-16 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BD179 | NPN SILICON TRANSISTOR |
| BD180-10 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-126 |
| BD175-10 | Transient Surge Protection Thyristor; Thyristor Type:Sidac; Current, It av:2.2A; Package/Case:6-SOIC; Reel Quantity:1500; Capacitance:30pF; Current Rating:2.2A; Forward Current:5A; Forward Voltage:12V; Holding Current:50mA RoHS Compliant: NA |
| BD175-16 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-126 |
| BD175-6 | SEMICONDUCTOR DEVICE - SI |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BD179-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-126 |
| BD179G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 80V 30W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BD180 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 80V 30W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BD180 | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR PNP TO-126 |
| BD180/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor |
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