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參數資料
| 型號： | BD241A |
| 廠商： | MOSPEC SEMICONDUCTOR CORP. |
| 英文描述： | POWER TRANSISTORS(3A,40W) |
| 中文描述： | 功率晶體管（第3A，功率40W） |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 97K |
| 代理商： | BD241A |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BD241C | POWER TRANSISTORS(3A,40W) |
| BD241A | NPN SILICON POWER TRANSISTORS |
| BD241B | NPN SILICON POWER TRANSISTORS |
| BD241 | NPN SILICON POWER TRANSISTORS |
| BD241C | NPN SILICON POWER TRANSISTORS |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BD241A_00 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| BD241A_07 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:NPN power transistors |
| BD241A-A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN POWER TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BD241A-S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 60V 3A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BD241ATU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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