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參數資料
| 型號： | BD434 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| 中文描述： | 互補性的芯片功率晶體管 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 70K |
| 代理商： | BD434 |
BD433/5/7
BD434/6/8
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
I
SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES
I
COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES
DESCRIPTION
The BD433, BD435, and BD437 are silicon
epitaxial-base NPN power transistors in Jedec
SOT-32 plastic package, intented for use in
medium power linear and switching applications.
The BD433 is especially suitable for use in
car-radio output stages.
The complementary PNP types are BD434,
BD436, and BD438 respectively.
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
June 1997
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
BD435
BD436
32
32
32
5
4
7
1
36
-65 to 150
150
Unit
NPN
PNP
BD433
BD434
22
22
22
BD437
BD438
45
45
45
V
CBO
V
CES
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
tot
T
stg
T
j
Collector-Base Voltage (I
E
= 0)
Collector-Emitter Voltage (V
BE
= 0)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Collector Peak Current (t
≤
10 ms)
Base Current
Total Dissipation at T
c
≤ 25
o
C
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
For PNP types voltage and current values are negative.
V
V
V
V
A
A
A
W
o
C
o
C
3
21
SOT-32
1/4
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BD435 | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| BD436 | Complemetary Silicon Power Transistors(互補硅功率晶體管) |
| BD437 | Complemetary Silicon Power Transistors(互補硅功率晶體管) |
| BD438 | Complemetary Silicon Power Transistors(互補硅功率晶體管) |
| BD439 | Complemetary Silicon Power Transistors(互補硅功率晶體管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BD434 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR PNP TO-126 |
| BD434S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BD434STU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BD435 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BD435 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-126 |
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