- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄369448 > BD536J Triac; Triac Type:Alternistor; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:400V; On-State RMS Current, IT(rms):25A; Gate Trigger Current (QI), Igt:80mA; Package/Case:3-TO-218X; Current, It av:25A; Gate Trigger Current Max, Igt:80mA PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | BD536J |
| 英文描述： | Triac; Triac Type:Alternistor; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:400V; On-State RMS Current, IT(rms):25A; Gate Trigger Current (QI), Igt:80mA; Package/Case:3-TO-218X; Current, It av:25A; Gate Trigger Current Max, Igt:80mA |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進(jìn)步黨| 60V的五（巴西）總裁| 8A條一（c）| TO - 220AB現(xiàn)有 |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 144K |
| 代理商： | BD536J |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| BD536K | TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-220AB |
| BD537J | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-220AB |
| BD537K | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-220AB |
| BD538J | Triac; Thyristor Type:Alternistor; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:600V; On-State RMS Current, IT(rms):6A; Gate Trigger Current (QI), Igt:10mA; Current, It av:6A; Gate Trigger Current Max, Igt:10mA; Holding Current:15mA RoHS Compliant: Yes |
| BD538K | Triac; Triac Type:Standard; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:600V; On-State RMS Current, IT(rms):6A; Gate Trigger Current (QI), Igt:50mA; Package/Case:3-TO-220; Current, It av:6A; Holding Current:50mA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BD536K | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-220AB |
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| BD537J | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BD537K | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BD537KTU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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