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參數資料
| 型號： | BD537 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | Complemetary Silicon Power Transistors(互補硅功率晶體管) |
| 中文描述： | Complemetary硅功率晶體管（互補硅功率晶體管） |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 44K |
| 代理商： | BD537 |
BD533/5/7
BD534/6/8
COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
I
BD534,BD535, BD536, BD537 AND BD538
ARESGS-THOMSON PREFERRED
SALESTYPES
DESCRIPTION
The BD533, BD535, and BD537 are silicon
epitaxial-base NPN power transistors in Jedec
TO-220 plastic package, intented for use in
medium powerlinear and switching applications.
The complementary PNP types are BD534,
BD536,and BD538respectively.
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
June 1997
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
BD535
BD536
60
60
60
5
8
1
50
-65 to 150
150
Unit
NPN
PNP
BD533
BD534
45
45
45
BD537
BD538
80
80
80
V
CBO
V
CES
V
CEO
V
EBO
I
C,
I
E
I
B
P
tot
T
stg
T
j
Collector-Base Voltage (I
E
= 0)
Collector-Emitter Voltage (V
BE
= 0)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Collector and Emitter Current
Base Current
Total Dissipation at T
c
≤
25
o
C
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
For PNP types voltage and current values are negative.
V
V
V
V
A
A
W
o
C
o
C
1
2
3
TO-220
1/4
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| BD536 | Complemetary Silicon Power Transistors(互補硅功率晶體管) |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| BD537K | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BD537KTU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BD538 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR PNP TO-220 |
| BD538J | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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