- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄369448 > BD706 TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-220AB PDF資料下載
參數資料
| 型號： | BD706 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-220AB |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進步黨| 45V的五（巴西）總裁| 12A條一（c）| TO - 220AB現有 |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 227K |
| 代理商： | BD706 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BD705 | FUSE 1A 125V PICO FAST |
| BD710 | FUSE 7A00 125V 0500LS F PC T-R |
| BD743C(PI) | TRANSISTOR LEISTUNGS BIPOLAR |
| BD743 | NPN SILICON POWER TRANSISTORS |
| BD743A | NPN SILICON POWER TRANSISTORS |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BD707 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Power Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BD708 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Power Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BD709 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Power Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BD70GA3MEFJ-ME2 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:IC REG LDO 7.0V 0.3A 8HTSOP |
| BD70GA3WEFJ-E2 | 功能描述:低壓差控制器 - LDO LDO Reg Pos 7.0V 0.3A RoHS:否 制造商:Micrel 最大輸入電壓:5.5 V 輸出電壓:Adjustable 輸出電流:10 mA 負載調節: 輸出類型:Adjustable, Fixed 輸出端數量:1 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-6 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。