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參數(shù)資料
| 型號： | BDW83C |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | Complementary Silicon Power Darlington Transistors(互補硅功率達林頓晶體管) |
| 中文描述： | 互補硅功率達林頓晶體管（互補硅功率達林頓晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 67K |
| 代理商： | BDW83C |
BDW83C
BDW84C
COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON
TRANSISTORS
I
BDW83C IS A SGS-THOMSON PREFERRED
SALESTYPE
I
COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES
I
HIGH CURRENT CAPABILITY
I
FAST SWITCHING SPEED
I
HIGH DC CURRENT GAIN
APPLICATIONS
I
LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL
EQUIPMENT
DESCRIPTION
The BDW83C is a silicon epitaxial-base NPN
power monolithic Darlington transistor mounted in
Jedec TO-218 plastic package. It is intended for
use in power linear and switching applications.
The complementary type is BDW84C.
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
June 1997
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
BDW83C
BDW84C
100
100
5
15
40
0.5
130
-65 to 150
150
Unit
NPN
PNP
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
tot
T
stg
T
j
Collector-Base Voltage (I
E
= 0)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Collector Peak Current
Base Current
Total Dissipation at T
c
≤
25
o
C
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
V
V
V
A
A
A
W
o
C
o
C
1
2
3
TO-218
1/4
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BDW84C | Complementary Silicon Power Darlington Transistors(互補硅功率達林頓晶體管) |
| BDW93C | Complemetary Silicon Power Darlington Transistors(互補硅功率達林頓晶體管) |
| BDW93B | Complemetary Silicon Power Darlington Transistors(互補硅功率達林頓晶體管) |
| BDW94B | COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
| BDW94C | COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BDW83C | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:DARLINGTON TRANSISTOR TO-247 |
| BDW83C | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Darlington Bipolar Transistor |
| BDW83C_02 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
| BDW83C_07 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:NPN power Darlington transistor |
| BDW83C-S | 功能描述:達林頓晶體管 100V 15A NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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