- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄295140 > BDX33BBU (ON SEMICONDUCTOR) 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR PDF資料下載
參數資料
| 型號： | BDX33BBU |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/61頁 |
| 文件大小： | 360K |
| 代理商： | BDX33BBU |
當前第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁
3–217
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Darlington Complementary
Silicon Power Transistors
. . . designed for general purpose and low speed switching applications.
High DC Current Gain — hFE = 2500 (typ.) at IC = 4.0
Collector–Emitter Sustaining Voltage at 100 mAdc
VCEO(sus) = 80 Vdc (min.) — BDX33B, 34B
VCEO(sus) = 100 Vdc (min.) — BDX33C, 34C
Low Collector–Emitter Saturation Voltage
VCE(sat) = 2.5 Vdc (max.) at IC = 3.0 Adc — BDX33B, 33C/34B, 34C
Monolithic Construction with Build–In Base–Emitter Shunt resistors
TO–220AB Compact Package
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
BDX33B
BDX34B
BDX33C
BDX34C
Unit
Collector–Emitter Voltage
VCEO
80
100
Vdc
Collector–Base Voltage
VCB
80
100
Vdc
Emitter–Base Voltage
VEB
5.0
Vdc
Collector Current — Continuous
Peak
IC
10
15
Adc
Base Current
IB
0.25
Adc
Total Device Dissipation
@ TC = 25_C
Derate above 25
_C
PD
70
0.56
Watts
W/
_C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
– 65 to + 150
_C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
R
θJC
1.78
_C/W
80
60
40
20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Figure 1. Power Derating
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
P
D
,POWER
DISSIP
A
TION
(W
A
TTS)
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
BDX33B
BDX33C
BDX34B
BDX34C
DARLINGTON
10 AMPERE
COMPLEMENTARY
SILICON
POWER TRANSISTORS
80 – 100 VOLTS
70 WATTS
*Motorola Preferred Device
CASE 221A–06
TO–220AB
*
NPN
PNP
REV 7
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BDX54B | Complemetary Silicon Power Darlington Transistors(功率達林頓晶體管) |
| BDX54C | Complemetary Silicon Power Darlington Transistors(功率達林頓晶體管) |
| BDX54F | Complementary Silicon Power Darlington Transistors(互補硅功率達林頓晶體管) |
| BF304-0PB-006B | SINGLE COLOR DISPLAY CLUSTER, SUPER BLUE, 9 mm |
| BF304-0PB-130B | SINGLE COLOR DISPLAY CLUSTER, SUPER BLUE, 9 mm |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BDX33BG | 功能描述:達林頓晶體管 10A 80V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| BDX33B-S | 功能描述:達林頓晶體管 80V 10A NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| BDX33C | 功能描述:達林頓晶體管 NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| BDX33C | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-220 |
| BDX33CG | 功能描述:達林頓晶體管 10A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。