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參數資料
| 型號： | BDX53BFI |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | Complementary Silicon Power Darlington Transistors(互補硅功率達林頓晶體管) |
| 中文描述： | 互補硅功率達林頓晶體管（互補硅功率達林頓晶體管） |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 42K |
| 代理商： | BDX53BFI |
BDX53BFI
BDX54BFI
COMPLEMENTARY SILICON POWER
DARLINGTON TRANSISTORS
I
COMPLEMENTARYPNP - NPN DEVICES
APPLICATIONS:
I
GENERALPURPOSE SWITCHING AND
AMPLIFIER
I
LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL
EQUIPMENT
DESCRIPTION
The BDX53BFI is silicon epitaxial-base NPN
power
transistor
in
configuration and are mounted in ISOWATT220
plastic package. It is intented for use in hammer
drivers, audio amplifiers and other medium power
linear and switching applications.
The complementaryPNP type is the BDX54BFI.
monolithic
Darlington
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
May 1997
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
BDX53BFI
BDX54BFI
80
80
5
8
12
0.2
30
-65 to 150
150
Unit
NPN
PNP
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
tot
T
stg
T
j
Collector-Base Voltage (I
E
= 0)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Collector Peak Current (repetitive)
Base Current
Total Dissipation at T
c
≤
25
o
C
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
For PNP types voltage and current values are negative.
V
V
V
A
A
A
W
o
C
o
C
1
2
3
ISOWATT220
R
1
Typ. = 10 K
R
2
Typ. =150
1/4
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PDF描述 |
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參數描述 |
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