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參數資料
| 型號： | BDX53C |
| 廠商： | MOSPEC SEMICONDUCTOR CORP. |
| 英文描述： | POWER TRANSISTORS(8A.,45-100V,60W) |
| 中文描述： | 功率晶體管（8A. ,45 - 100V的，60瓦） |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 194K |
| 代理商： | BDX53C |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BDX53A | POWER TRANSISTORS(8A.,45-100V,60W) |
| BDX53B | POWER TRANSISTORS(8A.,45-100V,60W) |
| BDX53 | NPN SILICON POWER DARLINGTONS |
| BDX53C | NPN SILICON POWER DARLINGTONS |
| BDX53A | NPN SILICON POWER DARLINGTONS |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BDX53C | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-220 |
| BDX53CG | 功能描述:達林頓晶體管 8A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| BDX53C-S | 功能描述:達林頓晶體管 100V 8A NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| BDX53CTU | 功能描述:達林頓晶體管 NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 發射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| BDX53E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 140V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-220AB |
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