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參數資料
型號: BF421ZL1
英文描述: TRANSISTOR | BJT | PNP | 300V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-92
中文描述: 晶體管|晶體管|進步黨| 300V五(巴西)總裁| 500mA的一(c)|至92
文件頁數: 1/3頁
文件大小: 271K
代理商: BF421ZL1
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors
BF421
TRANSISTOR
PNP
BF423
FEATURES
Power dissipation
P
CM
: 0.625W
Tamb=25
Collector current
I
CM
: -50mA
Collector-base voltage
V
(BR)CBO
: BF421 -300 V
BF423 -250 V
Operating and storage junction temperature range
T
J
T
stg
: -55
to +150
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Tamb=25
unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Test conditions
MIN
TYP
MAX
UNIT
Collector-base breakdown voltage BF421
BF423
V
CBO
Ic=-100
A
I
E
=0
-300
-250
V
Collector-emitter breakdown voltage BF421
BF423
V
CEO
I
C
= -1mA , I
B
=0
-300
-250
V
Emitter-base breakdown voltage
V
EBO
I
E
=-100
A
I
C
=0
-5
V
Collector cut-off current
I
CBO
V
CB
=-200 V , I
E
=0
-0.01
A
Emitter cut-off current
I
EBO
V
EB
=-5 V , I
C
=0
-0.05
A
DC current gain h
FE
V
CE
=-20 V, I
C
=-25mA
50
Collector-emitter saturation voltage
V
CE(sat)
I
C
=-30 mA, I
B
=- 5mA
-0.6
V
Transition frequency
f
T
V
CE
=-10V, I
C
= -10mA
60
MHz
1
2
3
TO
92
1. EMITTER
2. COLLECTOR
3. BASE
相關PDF資料
PDF描述
BF423S Slew Rate Controlled Load Switch
BF421L TRANSISTOR | BJT | PNP | 300V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-92
BF420 NPN high-voltage transistors
BF420\BF422 High voltage transistors
BF420L TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-92
相關代理商/技術參數
參數描述
BF421ZL1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 300V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BF422 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 250V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BF422 RF 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:TO 92;TRANSISTOR 625MW
BF422 T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BF422,116 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE RADIAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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